ОКП 620000 КОНДЕНСАТОРЫКОНДЕНСАТОРЫ
Подкатегории категории КОНДЕНСАТОРЫ:
Конденсаторы постоянной емкости керамические Конденсаторы постоянной емкости на основе стекла Конденсаторы постоянной емкости слюдяные Конденсаторы постоянной емкости пленочные с органическим синтетическим диэлектриком Конденсаторы постоянной емкости оксидные Конденсаторы прочие | ГОСТ 24460-80 Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 26 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24613.1-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 24613.4-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения времени включения и выключения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24613.2-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 24613.3-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 2 |
| ГОСТ 24613.5-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 2 |
| ГОСТ 24613.6-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1982 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 24613.9-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1984 | Страниц: 8 |
| ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1984 | Страниц: 6 |
| ГОСТ 24613.7-83 Оптопары резисторные. Метод измерения светового и темнового выходного сопротивления | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1984 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1984 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1985 | Страниц: 43 |
| ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1986 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 26949-86 Микросхемы интегральные. Методы измерения электрических параметров непрерывных стабилизаторов напряжения | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1988 | Страниц: 32 |
| ГОСТ 27778-88 Конденсаторы постоянной емкости керамические. Общие технические условия | |
| Дата актуализации текста: 19.03.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 19.03.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.07.1989 | Страниц: 57 |
